Currently, manufacturers of power-electronic components are trying to introduce the silicon carbide (SiC) technology in their products and MOSFET transistors made with this technology are available on the market. They are characterised by a significantly higher operating frequency, reaching even 100 kHz and low switching losses. The application of this type of devices causes high voltage gradients at the inverter output, which can lead to increased inverter electromagnetic disturbances. This article presents test results and a high-frequency analysis, allowing for a preliminary evaluation of the use of SiC transistors in inverters in the context of electromagnetic compatibility.
Obecnie producenci elementów energoelektronicznych starają się wprowadzić w swoich produktach technologię węglika krzemu (SiC) i dostępne są w handlu tranzystory MOSFET wykonane w tej technologii. Cechują się one znacznie wyższą częstotliwością pracy, sięgającą nawet 100 kHz oraz niskimi stratami przełączenia. Zastosowanie tego typu elementów powoduje występowanie dużych stromości sygnału napięciowego na wyjściu falownika, co może prowadzić do zwiększenia zaburzeń elektromagnetycznych falownika. W artykule zamieszczono wyniki badań i analiz wysokoczęstotliwościowych umożliwiające wstępną ocenę w zakresie EMC zastosowania w układzie falownika tranzystorów wykonanych w technologii węglika krzemu.
Klasyfikacja PKT
430000 Elektrotechnika
Wydział
Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Licencja
Licencja PK
Prawa dostępu
Zasób dostępny dla wszystkich
Na stronie wykorzystywane są pliki cookie, bądź podobne rozwiązania. Aby poznać szczegóły zapoznaj się z polityką prywatności.
