As new power transistors, such as SiC Mosfets, are being increasingly used in power electronics systems, it has become necessary to use special drivers. This article compares the parameters of SiC Mosfet, Si Mosfet, and IGBT gate circuits. Differences are discussed with reference to the ways in which these transistors are controlled. Gate circuit parameters of SiC transistors differ slightly from those of common Mosfet or IGBT transistors, and in order to be able to fully utilise the capabilities of these new devices, it is necessary to employ appropriate drivers. This article discusses one such driver for SiC transistors.
Ze względu na coraz częstsze stosowanie nowych tranzystorów mocy typu Mosfet SiC w układach energoelektronicznych istnieje potrzeba zastosowania specjalnych układów sterowników bramek. Parametry obwodu bramki tranzystorów zbudowanych na węgliku krzemu są trochę inne niż typowych tranzystorów Mosfet lub IGBT i żeby w pełni wykorzystać właściwości tych nowych elementów, należy zastosować odpowiednie sterowniki. W artykule przedstawiono jeden z przykładów sterowników (tzw. gate driver) dla tranzystorów typu Mosfet SiC.
Klasyfikacja PKT
430000 Elektrotechnika
Wydział
Wydział Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej
Licencja
Licencja PK
Prawa dostępu
Zasób dostępny dla wszystkich
Na stronie wykorzystywane są pliki cookie, bądź podobne rozwiązania. Aby poznać szczegóły zapoznaj się z polityką prywatności.
